1 主題內容與通用範圍
本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術要求、測試方法和規則。
本標準適用於去離子處理後的高純水。
2 引用標準
GB11446電子級水及其檢測方法
3術語
3．1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity
在規定溫度下，25px3水溶液兩相對麵之間測得的電阻值的倒數。電導率通常以μS/cm為單位。
水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時)。
3．2電阻率 resistivity
電導率之倒數。純水的理論電阻率為18.3MΩNaN(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。
3．3顆粒性物質granular sulbstance
除氣體以外，以非液態形式分散在水中，並形成非均勻相混合物的物質。
3．4總有機碳(TOC)total organic carbon
水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊化的有機物。
3．5總固體 total solid
水樣蒸發、烘幹後殘留的固總量。
3. 6全矽 total silicon
水中可溶性矽和以二氧化矽膠體狀態存在的矽的總量。全矽和可溶性矽之差即叫為膠體矽。
3．7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上，各種形式存在的物質含量有一定規定限製的很純淨水
3．8原水raw watcr
純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。
3．9終端 terminal。
高純水生產流程中經過各道衝化工藝後，水的出口使用地點。可分別稱為製水終端和用水
3．10微量micro-amount
試樣量在1mg左右。
3．11 痕量 trace amount
試樣量在1μg左右。
3．12百萬分之一(ppm) part per million
重量比的量，相當於每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質。在水質分析中，一殷也認為相當
每升水樣含雜質的毫克數(mg／L)。
3．13十億分之一(ppb)part per billion
重量比的單位，相當於每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質，在水質分折中，一般
認為相當於短升水樣含雜質的微克數(μg／L)。
4高純水的級別
4．1高純水可分為電子級高純水和普通高純水，分別用符號EH和pH標誌。
4. 2電子級高純水
4．2．1在製造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點：
a．具有精細圖形結構；
b．對器件表麵有特殊要求；
c．工藝對水質有特定的嚴格要求。
4．2．2電子級高純水分為兩個級別：特級和I級。它們的標誌分別是：
特級電子級高純水：EH—T
一級電子級高純水：EH—1
4．3普通高純水
4．3．1普通高純水用於一般電力半導體器件的製造工藝中。
4．3．2普雙高純水分為三個級別：Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標誌分別是：
I級普通高純水：pH—Ⅰ
x級普通高純水：PH—Ⅱ
m級普通高純水：pH—Ⅲ
4. 4電阻率低於5MΩ·cm的水不能稱為高純水。
5技術要求
5．1電子級高純水
5．1．1電子級高純水應考核四項內容：
a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率)；
b．水中懸浮微粒的數量和大小；
C. 水中有機物總量；
d. 水中細菌微生物狀況。
5. 1. 2電子級高純水的各項技術指標由表1給出。

表l

指　　　標	級別
指　　　標	EH— T	EH-I
電阻率，MΩ·cm(25℃)	18 (90％時間）最小17	16~18 (90％時間）最小15
大於1μm微粒數.個／mL	＜1	1
大於0．5um微被數 (最大值)，個／mL	100	150
細菌個數，個／mL	＜1	1
總有機碳含量(最大值)，μg／L	50	100
全矽(最大值)，μg／L	2	10
氯含量(最大值)，μg／L	0.5	2
鉀含量(最大值)，μg／L	0.2	1
鈉含量(顯大值)μg／L	0.2	1
鈣含量(最大值)，μg／L	0.5	1
鋁含量(最大值)，μg／L	0.5	1
銅含量(最大值)，μg／L	0.1	1
總可溶性固體含量(最大值)，μg／L	3	10

5．2普通高純水
5．2．1普通高純水主要考核其電阻率。
5．2．2普通高純水的技術指標由表2給出。
表2

指　　　標	級　　　標
	PH-Ⅰ	PH-Ⅱ	PH-Ⅲ
電阻率(25℃)，MΩ，cm	12-15	8~<12	5~<8
大於lμm的微粒數，個／mL	<50
總有機碳含量，μg／L	<500
全矽,μg／L	<100

6測試方法和檢驗規則
6．1電阻率測試方法
6．1．1用電導率儀測量高純水電阻率時：
a．電導池常數選川0.1—0.25px-1；
b．被測高純水應處於密封流動狀態，避免任何氣體混入，流速不低於0．3m/s。
6．1．2在t℃時測得的電阻率值ρt，用下式換算成25℃的電阻率ρ25
ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
式中：ρ25——２５℃時的電阻率ＭΩ.ＣＭ
ρt——t℃時的電阻率ＭΩ.ＣＭ
Gt——t℃時理論純水的電導率μＳ／ＣＭ，其值見附錄Ａ；
αt——t℃時修正係數，其值見附錄Ａ；
0.05482——t℃時理論純水的電導率μＳ／ＣＭ。
６.2其他技術指標測量方法
　　執行ＧＢ１１４４6.5~11446.11中有關規定。
6．３檢驗規則
6．3．1各個級別高純水的電阻率為經常必測項目。
6．3．2對電子級高純水，用水單位還應根據生產要求製定對微粒數、痕量金屬、細菌、有機物及二氧化矽等各項技術指標的檢驗規則。
6．3．3製水工藝條件改變時，應及時對表1或表2中各項技術指標全麵檢驗。
6．3．4所有測量均應在製水終端和用水點兩處測量。製水終端水的質量稱為製水水質；用水點水的質量稱為用水水質。對普通高純水，用水水質和製水水質應在同一級別上。對電子級高純，主要檢驗用水水質，但應給出製水水質作參考。製水水質還用於檢驗製水設備和技術。
6．4檢驗標誌
在高純水製水終端和用水點按要求進行檢驗後，若水質合格，應附標有下列內容的檢驗合格證：
a．高純水的級別標誌；
b．要求檢測的技術指標及測量結果；
c. 製水單位；
d．連續供水開始日期(普通高純水可無此項)；
e．檢驗員簽章及檢驗日期。
7取樣、存貯和運輸
7. 1. 高純水的取樣
7．1．1盛水容器必須使用塑料或硬質玻璃容器。用於測定矽或分析痕量成分時。必須使用聚乙烯等塑料容器。
7．1．2取樣前，盛水容船應預先用洗滌劑清洗幹淨，再用鹽酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48H(分析陰離子用的容器除外)，然後用高純水衝洗幹淨，再用高純水浸泡不少於6h。臨取樣時，用待測高純水衝洗容器小少於10次、方可取樣。
7．1．3采集水樣時，應先把管道中的積水放盡，並衝放5—10min，在流動狀態取樣。以保證水樣有充分的代表性。
7．1．4取樣的體積約為容器體積的0.6—0.8，不得太滿。取樣後。應迅速把容器蓋嚴。
7．1. 5細菌分析采樣容器必須經過高溫消毒處理。
7．2 高純水的貯存與運輸
7．2．1分析高純水中的陽、陰離子時，采集的水樣可存放72H。細菌檢驗時，水樣存放時間不得大於4H。
7．2．2高純水在貯存和運輸時，應檢查容器益是否密封嚴密。裝有水樣的容器不能在太陽下曝曬或放在高溫處。冬天要注意防凍。
7. 2．3高純水在貯存和運輸過程中；應定時記錄時間、溫度和氣候條件等。